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Ciudad de México, 24 de octubre de 2025. TecNM/DCD. Hugo Rojas Chávez, docente investigador del Instituto Tecnológico de Tláhuac II, en colaboración con Guillermo Carbajal Franco del Instituto Tecnológico de Toluca y Manuel A. Valdés Madrigal del Instituto Tecnológico Superior de Ciudad Hidalgo, colaboraron en la prestigiosa revista internacional Quantum Beam Science, indexada en el Journal Citation Reports (JCR).

Los trabajos representan un avance significativo en el diseño y procesamiento de semiconductores, resultado de una sólida colaboración entre instituciones nacionales e internacionales. En esta investigación también participaron José M. Juárez-García, de la Universidad Politécnica de Querétaro; Nina Daneu, del Instituto Jozef Stefan (Eslovenia), especialista en microscopía electrónica de transmisión; y Marcela Achimovicová, del Instituto de Geotecnia de la Academia Eslovaca de Ciencias, experta en el procesamiento de materiales.

Uno de los artículos, titulado “Fast Transformation of PbTe Using a Multiphase Mixture of Precursors: First Insights”, presenta por primera vez el uso de una mezcla de óxidos de Pb/Te, obtenida mediante molienda de alta energía, para formar diversas estructuras de PbTe mediante irradiación con haz de electrones. Este método permite una transformación rápida, reduce la barrera de energía libre de Gibbs y facilita la formación de puntos cuánticos, nanocristales y nanopartículas, logrando resultados destacados que le valieron a las y los investigadores la portada del volumen 9, número 3 (septiembre 2025) de la revista Quantum Beam Science.

El impacto de estas investigaciones radica en su contribución al entendimiento de los procesos físicos y químicos que intervienen en la formación de materiales semiconductores avanzados, fundamentales para el desarrollo de tecnologías emergentes como la nanotecnología, la optoelectrónica y los dispositivos cuánticos.

Los resultados obtenidos abren nuevas perspectivas para la creación de materiales con propiedades controladas a nivel atómico, fortaleciendo las capacidades científicas y tecnológicas de México en un campo estratégico para la innovación y la competitividad industrial.

Estos logros consolidan al TecNM como una institución de vanguardia científica, con creciente presencia en la investigación internacional y contribuciones de alto impacto en el desarrollo de tecnologías estratégicas, alineadas al Plan México y a los retos del sector nacional e internacional de los semiconductores.

Las publicaciones son un testimonio del compromiso, talento e innovación de los investigadores del TecNM, que fortalecen el reconocimiento global de la institución como referente en ciencia aplicada y formación tecnológica de excelencia.

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Última actualización: 21/10/2025

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